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CSD86356Q5DT

Name: Texas Instruments CSD86356Q5DT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86356Q5DT
Price: 2192 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

595-CSD86356Q5DT

Fabricante N.º:

CSD86356Q5DT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86356Q5D

Hoja de datos:

CSD86356Q5DT Hoja de datos

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡2 192	₡2 192
	₡1 438	₡14 380
	₡893	₡89 300
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	₡893	₡223 250
	₡835	₡417 500

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD86356Q5D

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡1 415

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD86356Q5D

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86356Q5DT

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	950 mV
Qg - Carga de puerta:	7.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	12 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	70 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Serie:	CSD86356Q5D
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	PowerBlock
Tiempo de retardo de apagado típico:	12 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Peso de la unidad:	119 mg

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Hoja de datos

CSD86356Q5DT Hoja de datos

SPICE Models

CSD86356Q5D PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CSD86356Q5D Synchronous Buck NexFET Power Blocks

Texas Instruments CSD86356Q5D Synchronous Buck NexFET™ Power Blocks provide high-current, high-efficiency, and high-frequency capability in a small package. The CSD86356Q5D is an optimized design for a synchronous buck and 5V gate drive applications. The device offers a 93% system efficiency at 25A. The CSD86356Q5D allows a flexible solution capable of offering a high-density power supply when paired with any 5V gate drive from an external controller/driver.