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CSD87503Q3E

Name: Texas Instruments CSD87503Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87503Q3E
Price: 713.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD87503Q3E

Fabricante N.º:

CSD87503Q3E

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3ET

Hoja de datos:

CSD87503Q3E Hoja de datos

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₡-,--

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₡-,--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡713,40	₡713,40
	₡469,22	₡4 692,20
	₡389,18	₡38 918,00
	₡374,10	₡187 050,00
	₡360,76	₡360 760,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡352,64	₡881 600,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD87503Q3ET

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

₡951,20

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	17.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.3 V
Qg - Carga de puerta:	42.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	15.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	CN
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	24 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	40 ns
Serie:	CSD87503Q3E
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	10 ns
Peso de la unidad:	29,200 mg

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CSD87503Q3E Hoja de datos

Models

CSD87503Q3E Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

SPICE Models

CSD85703Q3E Unencrypted PSpice Model

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.