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LMG3526R050RQSR

Name: Texas Instruments LMG3526R050RQSR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3526R050RQSR
Price: 10892 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-LMG3526R050RQSR

Fabricante N.º:

LMG3526R050RQSR

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Controladores de puertas 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv

Hoja de datos:

LMG3526R050RQSR Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡10 892	₡10 892
	₡7 772	₡77 720
	₡7 407	₡740 700
	₡7 285	₡1 821 250
	₡7 030	₡3 515 000
	₡6 757	₡6 757 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡5 742	₡11 484 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	GaN FET
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VQFN-52
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	LMG3526R050
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Voltaje de entrada - Máx.:	18 V
Voltaje de entrada - Mín.:	7.5 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG3526R050 650V GaN FET

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET with integrated driver and protection targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI offers integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers minimal ringing and clean switching in hard-switching power supply topologies. The adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns. This control can be used to control EMI and actively optimize switching performance.