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SQJ463EP-T1_NE3

Name: Vishay SQJ463EP-T1_NE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ463EP-T1_NE3
Price: 2581 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJ463EP-T1_NE3

Fabricante N.º:

SQJ463EP-T1_NE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8L-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	98 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	GB
Tiempo de caída:	51 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	17 ns
Serie:	SQJ463EP
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	121 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns