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C6D20065A

Name: Wolfspeed C6D20065A
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C6D20065A
Price: 5237 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

941-C6D20065A

Fabricante N.º:

C6D20065A

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiC, Schottky Diode, 20A, 650V, TO-220-2, Industrial

Hoja de datos:

C6D20065A Hoja de datos (PDF)

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	₡2 651	₡265 100
	₡2 332	₡1 166 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.27 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	75 A
Ir - Corriente inversa:	5 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Wolfspeed
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	166 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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Hoja de datos

C6D20065A Hoja de datos (PDF)

PCN

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are optimized for high-performance power electronics applications, including server power supplies, electric vehicle charging systems, energy storage systems, solar (PV) inverters, industrial power supplies, and consumer electronics. Compared to silicon-based solutions, Wolfspeed Silicon Carbide technology enables increased system power density, higher switching frequencies, smaller designs, cooler components, reduced size of components like inductors, capacitors, filters, and transformers, and overall cost benefits. Wolfspeed SiC diodes feature the MPS (Merged PiN Schottky) design, which is more robust and reliable than standard Schottky barrier diodes. Wolfspeed's portfolio of SiC Schottky diodes come in various packages to meet diverse application requirements.

Diodos Schottky SiC C6D de 650 V de 6ta generación

Los diodos Schottky SiC C6D de 650 V de 6ta generación de Wolfspeed demuestran una innovación tecnológica y logran la más alta eficiencia a nivel de sistema en un convertidor elevador PFC. Los diodos Schottky SiC de 650 V cuentan con un voltaje en funcionamiento de 400 V a 450 V, lo que ofrece una excelente ventaja para aplicaciones de suministro de potencia. Los diodos C6D son ideales para sincronizar dispositivos ya que excluyen problemas de fugas térmicas. Los diodos C6D ofrecen corriente de 4 A, 6 A, 8 A y 10 A y están disponibles en un paquete estándar TO-220-2.

Diodos Schottky SiC de 650 V serie E6Dx

Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 650 V serie E6Dx de Wolfspeed mejoran el rendimiento de los sistemas electrónicos de potencia al lograr niveles de eficiencia más altos en comparación con las alternativas basadas en silicio. Además, estos productos admiten mayores frecuencias operativas y mayores densidades de potencia. Los diodos de SiC E6Dx se pueden conectar en paralelo sin esfuerzo para adaptarse a una amplia gama de necesidades de aplicación sin el riesgo de fuga térmica. Debido a su rendimiento térmico superior y a los requisitos de enfriamiento reducidos, estos diodos de SiC de 650 V pueden reducir los costos generales del sistema en una amplia gama de aplicaciones.