6N136VM

onsemi
512-6N136VM
6N136VM

Fabricante:

Descripción:
Optoacopladores de alta velocidad 8PW 1MB TR DIP VDE

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 1 293

Existencias:
1 293 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡1 502 ₡1 502
₡957 ₡9 570
₡777 ₡77 700
₡609 ₡304 500
₡571 ₡571 000
₡550 ₡2 750 000
₡537 ₡5 370 000

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Optoacopladores de alta velocidad
RoHS:  
Through Hole
1 Channel
1 Mb/s
5000 Vrms
Photodarlington
38 %
16 mA
1.45 V
5 V
8 mA
45 mW
- 40 C
+ 100 C
6N136M
Tube
Marca: onsemi
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tipo de producto: High Speed Optocouplers
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Optocouplers
Peso de la unidad: 891 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490020
USHTS:
8541498000
JPHTS:
854140090
KRHTS:
8541409029
TARIC:
8541490000
MXHTS:
8541400401
BRHTS:
85414900
ECCN:
EAR99

High-Speed Transistor Optocouplers

onsemi High-Speed Transistor Optocouplers consist of an AIGaAs LED optically coupled to a high speed photodetector transistor. A separate connection for the bias of the photodiode improves the speed by several orders of magnitude over conventional phototransistor optocouplers by reducing the base-collector capacitance of the input transistor. The onsemi  HCPL4503M has no internal connection to the phototransistor for improved noise immunity. An internal noise shield provides superior common mode rejection of up to 50,000V/µs.