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NSVT5551DW1T1G

Name: onsemi NSVT5551DW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVT5551DW1T1G
Price: 568 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSVT5551DW1T1G

Fabricante N.º:

NSVT5551DW1T1G

Fabricante:

onsemi

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡568	₡568
	₡354	₡3 540
	₡231	₡23 100
	₡177	₡88 500
	₡165	₡165 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡138	₡414 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC88-6L
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Dual
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	160 V
Tensión VCBO colector-base:	180 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	200 mV
Dp - Disipación de potencia :	200 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	300 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	NSVT5551D
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	200 mA
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80 at 10 mA, 5 V
Máx. ganancia de CC hFE:	250 at 10 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors