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UG4SC075005L8S

Name: onsemi UG4SC075005L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075005L8S
Price: 30259 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-UG4SC075005L8S

Fabricante N.º:

UG4SC075005L8S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡30 259	₡30 259
	₡26 216	₡262 160
	₡25 323	₡2 532 300
	₡25 311	₡12 655 500
	₡25 300	₡25 300 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	₡22 649	₡45 298 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MO-229-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 30 V to 30 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	6 uA
Id - Corriente de drenaje continua:	120 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	1.153 kW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UG4S
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors

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UG4SC075005L8S Hoja de datos

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low R_DS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs

onsemi UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs combine a 750V SiC JFET and a low-voltage Si MOSFET in a single TO-247-4L package. This design enables a normally off switch while benefiting from the ultra-low on-resistance [R_DS(on)] and robustness of a normally on SiC JFET. The UG4SC Combo-FET series from onsemi is ideal for high-energy switching in circuit protection. For switch-mode power conversion, the devices offer separate gate access to the JFET and MOSFET, enhancing speed control and simplifying the paralleling of multiple devices.