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CMUDM7004 TR PBFREE

Name: Central Semiconductor CMUDM7004 TR PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CMUDM7004
Price: 568 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

610-CMUDM7004

Fabricante N.º:

CMUDM7004 TR PBFREE

Fabricante:

Central Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh FET 8.0Vgs 450mA 250mW

Hoja de datos:

CMUDM7004 TR PBFREE Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡568	₡568
	₡353	₡3 530
	₡230	₡23 000
	₡177	₡88 500
	₡161	₡161 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡138	₡414 000
	₡135	₡810 000
	₡129	₡1 161 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Central Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-523
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	450 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	500 mV
Qg - Carga de puerta:	792 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	250 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	UltraMini
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Central Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Transconductancia hacia delante - Mín.:	200 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	CMxxDM
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	75 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Peso de la unidad:	2 mg

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Hoja de datos

CMUDM7004 TR PBFREE Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

CMUDM700x N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

Central Semiconductor CMUDM700x N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. The Central Semiconductor CMNDM7001, CMUDM7004, and CMUDM7005 MOSFETs offer low r_DS(ON) and low threshold voltage and are manufactured by the N-channel DMOS process. These devices are ideal for use in load/power switches, power supply converter circuits, and battery-powered portable devices.