YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.2A SOT-723
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10 000En existencias
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Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -14 .5A PMPAK-3x3
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3 000En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.6 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 3.12 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 28. 5A PMPAK-5x6X
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2 995En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 84 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-251
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6 687En existencias
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Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.13 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 300 A TOLL
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1 870En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 347 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 190 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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2 997En existencias
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Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 2 Channel 30 V 27 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 19 nC - 55 C + 150 C 2.27 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
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2 970En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 30 V 245 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 900 mV 75 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
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2 999En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 223 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
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2 989En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 45 V 264 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 13. 3A TO-252
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2 846En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 600 V 13.3 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 28A TO-262
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999En existencias
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 91 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 10A TO-252
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3 000En existencias
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Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 33 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 44.6 A PMPAK-5x6X
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2 960En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 122 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 41.6 A PMPAK-5x6
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2 995En existencias
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 190 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 75A TO-252
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2 982En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 60 V 126 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 300A TOLL
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1 994En existencias
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Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 400 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 35A PMPAK-5x6X
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3 000En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 80 V 168 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 100V/-1
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2 958En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel, P-Channel 1 Channel 100 V 2.5 A 150 mOhms, 160 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC, 32 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 67. 7A TO-220CFM-T
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1 000En existencias
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Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 67.7 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 130 A TO-220
Hoja de datos
1 758En existencias
2 958En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 132 A 3.88 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 48. 5A TO-252
Hoja de datos
2 952En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 44A TO-220CFM-T
Hoja de datos
967En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220CFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 1.92 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 7.5 A PMPAK-3x3
Hoja de datos
3 000En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.5 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 14 nC - 55 C + 150 C 3.125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 8.1 A TO-252
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2 925En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 100 V 8.1 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 3A SOT-223
Hoja de datos
2 775En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 N-Channel 1 Channel 100 V 3 A 135 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel