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BUK6Y24-40PX

Name: Nexperia BUK6Y24-40PX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK6Y24-40PX
Price: 818 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BUK6Y24-40PX

Fabricante N.º:

BUK6Y24-40PX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 P-CH 40V 39A

Hoja de datos:

BUK6Y24-40PX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡818	₡818
	₡515	₡5 150
	₡342	₡34 200
	₡267	₡133 500
	₡248	₡248 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡226	₡339 000
	₡217	₡651 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-56-4
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	39 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	23 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	66 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	450 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	50 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	934661894115
Peso de la unidad:	93,270 mg

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JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

LFPAK P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia LFPAK P-Channel Trench MOSFETs are designed and qualified to AEC-Q101 standards for use in high-performance automotive applications. These MOSFETs feature high thermal power dissipation capability. The P-channel MOSFETs are available in an LFPAK56 (Power SO8) surface-mount device (SMD) plastic package. These Nexperia MOSFETs are suitable for thermally demanding environments due to the 175°C rating. Typical applications include reverse battery protection, power management, high-side load switch, and motor drive.