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BUK9M11-40HX

Name: Nexperia BUK9M11-40HX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9M11-40HX
Price: 152.54 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-BUK9M11-40HX

Fabricante N.º:

BUK9M11-40HX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 35A

Hoja de datos:

BUK9M11-40HX Hoja de datos (PDF)

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	₡152,54	₡228 810,00
	₡113,68	₡341 040,00
	₡105,56	₡950 040,00
	₡101,50	₡2 436 000,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-33-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	35 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	50 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	4.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	9.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.3 ns
Alias de las piezas n.º:	934660797115
Peso de la unidad:	100,200 mg

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R_DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R_DS(on) compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R_DS(on).