Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

C3M0032120K

Name: Wolfspeed C3M0032120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120K
Price: 7690.8 CRC
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

941-C3M0032120K

Fabricante N.º:

C3M0032120K

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Hoja de datos:

C3M0032120K Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Wolfspeed C3M0032120K

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡7 690,80	₡7 690,80
	₡4 547,20	₡45 472,00
	₡4 408,00	₡528 960,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	63 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	118 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	283 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

C3M0032120K Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V Silicon Carbide Schottky Diodes

Wolfspeed 1200V Silicon Carbide Schottky Diodes feature Merged PiN Schottky (MPS) technology and offer greater robustness and reliability than standard Schottky diodes. These Wolfspeed 1200V diodes come in various packages that can be paralleled without the risk of thermal runaway. The diodes are ideal for solar inverters, switch mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), and AC/DC converters.

MOSFET de potencia de carburo de silicio 1,200 V

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de 1,200 V de Wolfspeed marcan el estándar en cuanto a rendimiento, resistencia y facilidad de diseño. Los MOSFET de Wolfspeed cuentan con capacidades de conmutación rápida y de baja pérdida, lo que garantiza una mejora significativa en la eficiencia del sistema, la densidad de potencia y el costo general de BOM en comparación con los MOSFET de silicio e IGBT existentes.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

MOSFET de potencia de carburo de silicio C3M0032120K

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio C3M0032120K de Wolfspeed están diseñados con tecnología MOSFET C3M™. El C3M0032120K incluye 1200 V V_DS, 63 A I_D y 32 R_DS(on). Los MOSFET de potencia reducen las pérdidas de conmutación y minimizan el repique de puertas. Los dispositivos cuentan con un diodo intrínseco rápido con bajo nivel de recuperación inversa (Qrr). Los MOSFET C3M0032120K ofrecen una mayor densidad de potencia y frecuencia de conmutación del sistema, con menos requisitos de enfriamiento. Los C3M0032120K son ideales para inversores solares, motores de vehículos eléctricos, convertidores CC/CC de alto voltaje, fuentes de alimentación en modo conmutación y conmutadores de carga.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.