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DMT3020LSDQ-13

Name: Diodes Incorporated DMT3020LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMT3020LSDQ-13
Price: 650 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-DMT3020LSDQ-13

Fabricante N.º:

DMT3020LSDQ-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K

Hoja de datos:

DMT3020LSDQ-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡650	₡650
	₡439	₡4 390
	₡278	₡27 800
	₡199	₡99 500
	₡172	₡172 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡172	₡430 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2.4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.9 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	7.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	1.8 ns
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Automotive MOSFETs

Diodes Incorporated Automotive MOSFETs meet the stringent requirements of the AEC-Q101 reliability standard of the Automotive Electronics Council. Products with a 'Q' suffix indicate the product is Automotive grade. This means the Diodes Incorporated device has passed the rigorous AEC-Q101 standard and is fully supported for Automotive applications. The MOSFETs support customers with the Production Part Approval Process (PPAP) and TS16949-approved manufacturing sites.