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E4MS025120U2-TR

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Mouser N.º:

941-E4MS025120U2-TR

Fabricante N.º:

E4MS025120U2-TR

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET,25mohm,1200V, TSC (U2) , Automotive, Gen4

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

E4MS025120U2-TR Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7XL
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	82 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	125 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	350 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	28 S
Empaquetado:	Reel
Producto:	SiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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Hoja de datos

E4MS025120U2-TR Hoja de datos (PDF)

ECCN:: EAR99

1200V E4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V E4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in onboard automotive applications. The E4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The E4MS family provides improved E_on, E_RR, and E_off losses compared to the E3M family of devices, while maintaining a low R_DS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of onboard topologies.