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FFSP2065B

Name: onsemi FFSP2065B
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSP2065B
Price: 2830 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-FFSP2065B

Fabricante N.º:

FFSP2065B

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE 650V 20A

Hoja de datos:

FFSP2065B Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	₡2 830	₡2 830
	₡1 879	₡18 790
	₡1 334	₡133 400
	₡1 177	₡588 500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	20 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.38 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	84 A
Ir - Corriente inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	FFSP2065B
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Dp - Disipación de potencia :	150 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	650 V
Peso de la unidad:	3,566 g

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Hoja de datos

FFSP2065B Hoja de datos

EOL

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

FFSP SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP SiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes are designed to leverage the advantages of Silicon Carbide over Silicon (Si) devices. FFSP SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also feature temperature-independent switching characteristics and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster-operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.