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FM25V10-GTR

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Mouser N.º:

877-FM25V10-GTR

Fabricante N.º:

FM25V10-GTR

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

F-RAM 1M (128Kx8) 2.0-3.6V F-RAM

Hoja de datos:

FM25V10-GTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	F-RAM
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	25 MHz, 40 MHz
Organización:	128 k x 8
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	2 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	FM25V10-G
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	TH
País de difusión:	US
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	2 V to 3.6 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso de la unidad:	540 mg

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Hoja de datos

FM25V10-GTR Hoja de datos (PDF)

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CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320905
KRHTS:: 8542321040
TARIC:: 8542329000
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.