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FP35R12N2T7BPSA2

Name: Infineon FP35R12N2T7BPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP35R12N2T7BPSA2
Price: 37961 CRC
Availability: OutOfStock

Mouser N.º:

726-FP35R12N2T7BPSA2

Fabricante N.º:

FP35R12N2T7BPSA2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos IGBT 1200 V, 35 A PIM IGBT module

Hoja de datos:

FP35R12N2T7BPSA2 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
RoHS:
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	3-Phase Inverter
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.6 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	35 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	100 nA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	15
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Alias de las piezas n.º:	FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1

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CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers

Infineon Technologies 1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers are EconoPIM™ 2 1200V, 100A three-phase PIM IGBT modules. The rectifiers feature TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with the integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.

1200V PIM IGBT Modules

Infineon 1200V PIM IGBT Modules offer TRENCHSTOP™ IGBT7 and EC7 diode technology based on the latest micro-pattern trenches technology. This technology strongly reduces losses and provides a high level of controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas compared to the formerly used square trench cells. The chip is specially optimized for industrial drive applications and solar energy systems, which means much lower static losses, higher power density, and softer switching. A significant increase in power density can be obtained by raising the allowed maximum operating temperature up to 175°C in the Infineon 1200V PIM IGBT Modules.