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FS01M3R08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01M3R08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01M3R08A8MA2CH
Price: 629961 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-FS01M3R08A8MA2CH

Fabricante N.º:

FS01M3R08A8MA2CHPSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Ciclo de vida:

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	₡629 961	₡629 961
	₡555 756	₡5 557 560

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
Producto:	Module
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	4.56 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 19 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	HybridPACK
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	58 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	530 A
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 mOhms
Tiempo de subida:	96 ns
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	HybridPACK
Tiempo de retardo de apagado típico:	338 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	114 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.55 V
Alias de las piezas n.º:	FS01M3R08A8MA2C SP006157554

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ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Modules

Infineon Technologies HybridPACK™ Drive G2 Modules are compact power modules designed for hybrid and electric vehicle traction. The Infineon Technologies G2 modules offer scalable performance levels using Si or SiC technologies and different chipsets, maintaining the same module size. Introduced in 2017 with silicon EDT2 technology, it was optimized for efficiency in real-world driving. In 2021, a CoolSiC™ version was introduced, offering higher cell density and better performance. In 2023, the second generation, HybridPACK Drive G2, was launched with EDT3 (Si IGBT) and CoolSiC™ G2 MOSFET technologies, providing ease of use and integration options for sensors, enabling up to 300kW performance within 750V and 1200V classes.