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GE04MPS06A

Name: Navitas Semiconductor GE04MPS06A
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GE04MPS06A
Price: 1119 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

905-GE04MPS06A

Fabricante N.º:

GE04MPS06A

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 119	₡1 119
	₡974	₡9 740
	₡922	₡23 050
	₡847	₡84 700
	₡800	₡200 000
	₡766	₡383 000
	₡737	₡737 000
	₡696	₡1 740 000
	₡667	₡3 335 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Navitas Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-220-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	4 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.25 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	22 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	SiC Schottky MPS
Empaquetado:	Tube
Marca:	GeneSiC Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Dp - Disipación de potencia :	55 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V
Alias de las piezas n.º:	GEXXMPS06X
Peso de la unidad:	2 g

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

650V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V SiC Schottky MPS™ Diodes combine excellent forward and switching characteristics with best-in-class surge current robustness and thermal conductivity. These diodes operate at 175°C maximum operating temperature and show temperature-independent switching behavior. The 650V SiC Schottky diodes feature superior Avalanche (UIS) capability and low device capacitance. One key advantage of these diodes is the ease of paralleling devices without thermal runaway. Typical applications include SMPS, EVs, motor drives, LED and HID lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, induction heating and welding, and pulsed power.

650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A.