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HT8MB5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MB5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MB5TB1
Price: 1108 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-HT8MB5TB1

Fabricante N.º:

HT8MB5TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 NPCH 40V 12A

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	₡1 108	₡1 108
	₡708	₡7 080
	₡474	₡47 400
	₡376	₡188 000
	₡349	₡349 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡326	₡978 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSMT-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V, 40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A, 15 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	47 mOhms, 56 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V, 2.5 V
Qg - Carga de puerta:	3.5 nC, 16.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	13 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2.7 ns, 41 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.1 S, 6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.7 ns, 29 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	11 ns, 86 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns, 9.6 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small Signal Dual Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor Small Signal Dual Channel MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are RoHS compliant and include Pb-free plating. The dual channel MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These MOSFETs are used in motor drives and switching applications.