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IGI65D1414A3MSXUMA1

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Mouser N.º:

726-IGI65D1414A3MSXU

Fabricante N.º:

IGI65D1414A3MSXUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IGI65D1414A3MSXUMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-32
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	170 mOhms
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	1.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Transistors
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Alias de las piezas n.º:	IGI65D1414A3MS SP005970004

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Hoja de datos

IGI65D1414A3MSXUMA1 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.