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IGL65R110D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R110D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R110D2XUMA1
Price: 2586.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IGL65R110D2XUMA1

Fabricante N.º:

IGL65R110D2XUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡2 586,80	₡2 586,80
	₡1 716,80	₡17 168,00
	₡1 218,00	₡121 800,00
	₡1 078,80	₡539 400,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡893,20	₡2 679 600,00
	₡875,80	₡5 254 800,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	HEMT
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	16 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	140 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	2.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	59 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolGaN
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	20 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Tiempo de subida:	7 ns
Serie:	CoolGaN G5
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns
Alias de las piezas n.º:	IGL65R110D2 SP006065189

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.