KTDM8G4B632BGCBCT

Name: SMART KTDM8G4B632BGCBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B63BGCBCT
Price: 7946 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

473-KTDM8G4B63BGCBCT

Fabricante N.º:

KTDM8G4B632BGCBCT

Fabricante:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

Hoja de datos:

KTDM8G4B632BGCBCT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	₡7 946,00	₡7 946,00
	₡7 377,60	₡73 776,00
	₡7 151,40	₡178 785,00
	₡6 983,20	₡349 160,00
	₡6 809,20	₡680 920,00
	₡6 588,80	₡1 647 200,00
	₡6 420,60	₡3 210 300,00
	₡6 258,20	₡6 258 200,00
2 500	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	8 Gbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	1.6 GHz
Paquete / Cubierta:	FBGA-96
Organización:	512 M x 16
Voltaje de alimentación - Mín.:	1.14 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	1.26 V
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	SMARTsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	BR
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).