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MAPC-A3005-ADTR1

Name: MACOM MAPC-A3005-ADTR1
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3005-ADTR1
Price: 64867.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

937-MAPC-A3005-ADTR1

Fabricante N.º:

MAPC-A3005-ADTR1

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Transistor, DC - 6 GHz, 8W, G28V5-1C

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

MAPC-A3005-ADTR1 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡64 867,20	₡64 867,20
	₡54 491,00	₡544 910,00
	₡49 108,60	₡4 910 860,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	₡49 108,60	₡49 108 600,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN-12
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	84 V
Id - Corriente de drenaje continua:	1.4 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	8 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Ganancia:	19 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	6 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	39.9 dBm
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN, SiC
Tipo:	SiC Transistor

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Hoja de datos

MAPC-A3005-ADTR1 Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.