MAPC-A3005-AS000

MACOM
937-MAPC-A3005-AS000
MAPC-A3005-AS000

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs Transistor,GaN,5W,DC-6GHz,2.16mm,Pill

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre MACOM MAPC-A3005-AS000

En existencias: 80

Existencias:
80 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡122 008,80 ₡122 008,80
₡103 982,40 ₡1 039 824,00
100 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
440109-2
1 Channel
84 V
750 mA
- 10 V, + 2 V
- 40 C
+ 85 C
Marca: MACOM
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 14 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 8 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Potencia de salida: 39.2 dBm
Producto: GaN FETs
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Transistors
Tecnología: GaN, SiC
Tipo: GaN on SiC Transistor
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.