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MAPC-A3005-ASSB1

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Mouser N.º:

937-MAPC-A3005-ASSB1

Fabricante N.º:

MAPC-A3005-ASSB1

Fabricante:

MACOM

Descripción:

RF Development Tools Application & Test Fixture, MAPC-A3005

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MAPC-A3005-ASSB1 Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo RF
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Producto:	Add-On Boards
Tipo:	RF Transistor
La Herramienta es para la Evaluación de :	MAPC-A3005-AS
Frecuencia:	0 Hz to 8 GHz
Marca:	MACOM
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	RF Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools

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MAPC-A3005-ASSB1 Hoja de datos (PDF)

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USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.