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MAPC-A3010-AB000

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Mouser N.º:

937-MAPC-A3010-AB000

Fabricante N.º:

MAPC-A3010-AB000

Fabricante:

MACOM

Descripción:

GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MAPC-A3010-AB000 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	GaN FETs
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	440223
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	84 V
Id - Corriente de drenaje continua:	12 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 65 C
Marca:	MACOM
Configuración:	1 Channel
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Ganancia:	18 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Potencia de salida:	50.9 dBm
Producto:	GaN FETs
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Transistors
Tipo:	GaN on SiC Transistor

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Hoja de datos

MAPC-A3010-AB000 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.