MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
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Modelo ECAD:
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En existencias: 112

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
₡5 510 ₡5 510
₡4 072 ₡40 720
₡3 822 ₡95 550
₡3 416 ₡341 600
₡3 260 ₡815 000
₡3 225 ₡1 612 500
₡2 865 ₡2 865 000
2 500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Marca: STMicroelectronics
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Características: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Voltaje de entrada - Máx.: 15 V
Voltaje de entrada - Mín.: 3.3 V
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: Gate Drivers
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 225 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica: 1560
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Peso de la unidad: 150 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.

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