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MMBT5551W_R1_00701

Name: Panjit MMBT5551W_R1_00701
Brand: Panjit
SKU: 241-MMBT5551WR100701
Price: 98.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

241-MMBT5551WR100701

Fabricante N.º:

MMBT5551W_R1_00701

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

Hoja de datos:

MMBT5551W_R1_00701 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡98,60	₡98,60
	₡58,58	₡585,80
	₡36,54	₡3 654,00
	₡26,68	₡13 340,00
	₡23,20	₡23 200,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡18,56	₡55 680,00
	₡16,82	₡100 920,00
	₡13,92	₡125 280,00
	₡12,76	₡306 240,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-323-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	160 V
Tensión VCBO colector-base:	180 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	200 mV
Dp - Disipación de potencia :	200 mW
Producto para ganar Ancho de banda fT:	300 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Panjit
Corriente continua del colector:	600 mA
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Colector DC/Ganancia Base hfe Mínima:	80 V at 10 mA, 5 V
Máx. ganancia de CC hFE:	250 V at 10 mA, 5 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	5 mg

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MMBT5551W_R1_00701 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors

PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors offer a collector-emitter voltage (V_CE) of 160V and a collector current (I_C) rating of 600mA. The PANJIT MMBT5551W is suitable for a wide range of electronic applications. This transistor is environmentally friendly, lead-free, and complies with EU RoHS 2.0 regulations. Additionally, it features a green molding compound that meets the IEC 61249 standard.