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MSC031SMC120B4N

Name: Microchip MSC031SMC120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC031SMC120B4N
Price: 8294 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

579-MSC031SMC120B4N

Fabricante N.º:

MSC031SMC120B4N

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡8 294	₡8 294
	₡7 644	₡229 320
	₡6 653	₡798 360

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	72 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	42 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	70 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	326 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	Not Available
Tiempo de caída:	13 ns
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	16 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns

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ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.