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MT46V32M16P-5B IT:J

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Mouser N.º:

340-122535-TRAY

Fabricante N.º:

MT46V32M16P-5B IT:J

Fabricante:

Micron

Descripción:

DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micron Technology
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR
Tamaño de memoria:	512 Mbit
Ancho de bus de datos:	16 bit
Frecuencia de reloj máxima:	200 MHz
Paquete / Cubierta:	TSOP-66
Organización:	32 M x 16
Tiempo de acceso:	700 ps
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.5 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	2.7 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	MT46V
Empaquetado:	Tray
Marca:	Micron
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1080
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	85 mA
Peso de la unidad:	10,717 g

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Hoja de datos

MT46V32M16P-5B IT:J Hoja de datos (PDF)

PCN

DDR x16/x8, SDRAM x32/x16 TSOP Package Internal Leadframe Design/Structure Change (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320028
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR SDRAM

La tecnología revolucionaria e innovadora DDR SDRAM de Micron permite que las aplicaciones transfieran datos en los extremos de subida y caída de la señal de reloj. Esto duplica el ancho de banda y mejora el rendimiento en SDR SDRAM. Para lograr esta funcionalidad, Micron utiliza una arquitectura 2n-prefetch en la que el bus de datos internos duplica el tamaño del bus de datos externos; así, la captura de datos puede ocurrir dos veces por cada ciclo de reloj.