MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices

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₡17 980 ₡539 400
₡17 180 ₡859 000
₡17 046 ₡4 261 500

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
CML Micro
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Marca: CML Micro
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Transconductancia hacia delante - Mín.: 300 mS
Dp - Disipación de potencia : 500 mW
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: MWT
Cantidad de empaque de fábrica: 10
Subcategoría: MOSFETs
Nombre comercial: MWT-LN600
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Atributos seleccionados: 0

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Other

USHTS:
8541210040
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

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