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NSS60101DMTTBG

Name: onsemi NSS60101DMTTBG
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS60101DMTTBG
Price: 539.4 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSS60101DMTTBG

Fabricante N.º:

NSS60101DMTTBG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) DUAL 60V 1A LOWVCESA

Hoja de datos:

NSS60101DMTTBG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡539,40	₡539,40
	₡335,82	₡3 358,20
	₡218,66	₡21 866,00
	₡168,20	₡84 100,00
	₡151,96	₡151 960,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡131,08	₡393 240,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	1 A
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	60 V
Tensión VCBO colector-base:	60 V
Voltaje VEBO emisor-base:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	130 mV
Dp - Disipación de potencia :	2.27 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	180 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	NSS60101DMT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	8,690 mg

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.