Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NTMYS006N08LHTWG

Name: onsemi NTMYS006N08LHTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMYS006N08LHTWG
Price: 1873.4 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-NTMYS006N08LHTWG

Fabricante N.º:

NTMYS006N08LHTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL LFPAK

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NTMYS006N08LHTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NTMYS006N08LHTWG

En existencias: 1 454

Existencias:: 1 454 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 43 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 873,40	₡1 873,40
	₡1 821,20	₡18 212,00
	₡1 339,80	₡133 980,00
	₡1 125,20	₡562 600,00
	₡962,80	₡962 800,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡649,60	₡1 948 800,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	77 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	34 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	89 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	SIngle
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	99 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	125 ns
Serie:	NTMYS006N08HL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	26 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTMYS006N08LHTWG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.