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NTTFS2D1N04HLTWG

Name: onsemi NTTFS2D1N04HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS2D1N04HLTWG
Price: 1252.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFS2D1N04HLTWG

Fabricante N.º:

NTTFS2D1N04HLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3

Hoja de datos:

NTTFS2D1N04HLTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 252,80	₡1 252,80
	₡794,60	₡7 946,00
	₡531,86	₡53 186,00
	₡435,58	₡217 790,00
	₡385,70	₡385 700,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡364,82	₡1 094 460,00
	₡346,26	₡2 077 560,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	150 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	43.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	83 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTTFS2D1N04HL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTTFS2D1N04HLTWG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

NTTFSxD1N0xHL N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi NTTFSxD1N0xHL N-Channel PowerTrench® MOSFETs employ high-performance Shielded Gate MOSFET technology for extremely low R_DS(on). These onsemi single-channel MOSFETs offer low switching noises/EMI and 100% UIL-tested MSL1 robust package design. The NTTFSxD1N0xHL MOSFETs are available in a lead-free, halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant WDFN8 package. Typical applications include DC−DC buck converters, point of load, high-efficiency load switch and low-side switching, ORing FETs, DC-DC power supplies, and MV synchronous buck converters.