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NVMFWS2D9N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS2D9N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS2D9N04XMT1G
Price: 998 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMFWS2D9N04XMT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS2D9N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡998	₡998
	₡632	₡6 320
	₡423	₡42 300
	₡334	₡167 000
	₡310	₡310 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡285	₡427 500
	₡282	₡2 538 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	94 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	15.7 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	50 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	JP
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3.8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	79.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.5 ns
Serie:	NVMFWS2D9N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19.8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.1 ns

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NVMFWS2D9N04XMT1G Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.