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NX6008NBKSX

Name: Nexperia NX6008NBKSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-NX6008NBKSX
Price: 162 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-NX6008NBKSX

Fabricante N.º:

NX6008NBKSX

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 60V .22A

Hoja de datos:

NX6008NBKSX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡162	₡162
	₡100	₡1 000
	₡62,6	₡6 260
	₡46,4	₡23 200
	₡40	₡40 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡34,8	₡104 400
	₡31,3	₡187 800
	₡26,1	₡234 900
	₡23,2	₡556 800

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-363-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	220 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.7 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	900 mV
Qg - Carga de puerta:	460 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	286 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Trench MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	1 ns
Alias de las piezas n.º:	934662515115

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Hoja de datos

NX6008NBKSX Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NX6008NBK N-channel Trench MOSFETs

Nexperia NX6008NBK N-channel Trench MOSFETs are designed for fast switching actions and feature low threshold voltage. These MOSFETs operate at 60V drain-source voltage (V_DS), 8V maximum gate-source voltage (V_GS), and -55°C to 150°C junction temperature range (T_j). The NX6008NBK MOSFETs are used in applications like relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.