PJD14P06A-AU_L2_000A1

Panjit
241-PJD14P06AAUL2000
PJD14P06A-AU_L2_000A1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 1 451

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20 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡452,40 ₡452,40
₡281,88 ₡2 818,80
₡182,12 ₡18 212,00
₡139,20 ₡69 600,00
₡133,98 ₡133 980,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡133,98 ₡401 940,00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Panjit
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-252AA-3
P-Channel
60 V
- 20 V, 20 V
2.5 V
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Panjit
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 43 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
Peso de la unidad: 297 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Application Notes

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.

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