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PXP012-30QLJ

Name: Nexperia PXP012-30QLJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PXP012-30QLJ
Price: 603.2 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

771-PXP012-30QLJ

Fabricante N.º:

PXP012-30QLJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT8002 P-CH 30V 8.9A

Hoja de datos:

PXP012-30QLJ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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₡-,--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡603,20	₡603,20
	₡410,64	₡4 106,40
	₡259,26	₡25 926,00
	₡186,18	₡93 090,00
	₡160,66	₡160 660,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡123,54	₡370 620,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT8002-1-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	15.2 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	12.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	43.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	32 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	55 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	68 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	4 ns
Alias de las piezas n.º:	934663638118

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PXP0 P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia PXP0 P-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistors (FETs) that utilize Trench MOSFET technology. The PXP0 P-Channel comes in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFETs are logic-level compatible and use Trench MOSFET technology. Typical applications include high-side load switch, battery management, DC to DC conversion, and switching circuits.