Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

QH8JB5TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8JB5TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8JB5TCR
Price: 1044 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-QH8JB5TCR

Fabricante N.º:

QH8JB5TCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

Hoja de datos:

QH8JB5TCR Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor QH8JB5TCR

En existencias: 3 976

Existencias:: 3 976 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 044	₡1 044
	₡667	₡6 670
	₡447	₡44 700
	₡353	₡176 500
	₡323	₡323 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡305	₡915 000
	₡302	₡1 812 000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSMT-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	17.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.5 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	43 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 - P Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	82 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.2 ns
Alias de las piezas n.º:	QH8JB5
Peso de la unidad:	10 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

QH8JB5TCR Hoja de datos

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QH8J Pch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor QH8J Pch Power MOSFETs feature low on-resistance and are housed in a high power small mold package (TSMT8). ROHM offers a wide voltage lineup from small signal products to 800V high voltage products. They can be used for various applications like power supplies and motor drive circuits.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.