RD3G08DBKHRBTL
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Fabricante:
Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 40V 80A
En existencias: 2 000
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Existencias:
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En pedido:
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2 500
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Plazo de entrega de fábrica:
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16Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Precio (CRC)
| Cantidad | Precio unitario |
Precio ext.
|
|---|---|---|
| ₡1 566,00 | ₡1 566,00 | |
| ₡1 015,00 | ₡10 150,00 | |
| ₡696,00 | ₡69 600,00 | |
| ₡564,92 | ₡282 460,00 | |
| ₡541,14 | ₡541 140,00 | |
| Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500) | ||
| ₡527,22 | ₡1 318 050,00 | |
Hoja de datos
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 854129000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 8541299900
- ECCN:
- EAR99
Costa Rica
