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RFN4RSM2STL1

Name: ROHM Semiconductor RFN4RSM2STL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN4RSM2STL1
Price: 870 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RFN4RSM2STL1

Fabricante N.º:

RFN4RSM2STL1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Rectificadores 200V 4A 13ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode

Ciclo de vida:

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡870	₡870
	₡545	₡5 450
	₡363	₡36 300
	₡284	₡142 000
	₡259	₡259 000
	₡244	₡488 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 4000)
	₡231	₡924 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Rectificadores
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-277A-3
Vr - Tensión inversa:	200 V
If - Corriente directa:	4 A
Tipo:	Ultra Fast Recovery Diode
Configuración:	Single
Vf - Tensión directa:	930 mV
Sobrecorriente máx.:	80 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Tiempo de recuperación:	36 ns
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Producto:	Rectifiers
Tipo de producto:	Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	4000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S

Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S de ROHM Semiconductor son diodos planares epitaxiales de silicio con bajo voltaje directo y bajo nivel de pérdida por conmutación. Estos diodos ultrarrápidos cuentan con un voltaje inverso máximo de 200 V y un rango de temperatura de almacenamiento de -55°C a 175°C. Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S ofrecen una alta capacidad de sobrecarga de corriente. Estos diodos vienen en un paquete TO-277A. Los diodos de recuperación ultrarrápidos RFNxRSM2S cumplen con las normas RoHS y son ideales para aplicaciones de rectificación general.