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SI4151DY-T1-GE3

Name: Vishay SI4151DY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI4151DY-T1-GE3
Price: 1108 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SI4151DY-T1-GE3

Fabricante N.º:

SI4151DY-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SO8 P-CH 30V 15.2A

Hoja de datos:

SI4151DY-T1-GE3 Hoja de datos

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₡-

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₡-

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 108	₡1 108
	₡708	₡7 080
	₡476	₡47 600
	₡434	₡217 000
	₡386	₡386 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡353	₡882 500
	₡339	₡1 695 000
	₡332	₡3 320 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	5.6 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	37 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	67 ns
Serie:	Si4151DY
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si4 & Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs

Vishay Semiconductor Si4 and Si7 P-Channel (D-S) MOSFETs features a small footprint and on-resistance rating down to 1.2V. The Vishay / Siliconix Si4 and Si7 offers 20V and 30V VDS in a PowerPAK SO-8 package.