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SI7370ADP-T1-GE3

Name: Vishay SI7370ADP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SI7370ADP-GE3
Price: 1740 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

781-SI7370ADP-GE3

Fabricante N.º:

SI7370ADP-T1-GE3

Fabricante:

Vishay / Siliconix

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

Hoja de datos:

SI7370ADP-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	₡1 740	₡1 740
	₡1 119	₡11 190
	₡800	₡80 000
	₡684	₡342 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡580	₡1 740 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-1212-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	50 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	57 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	8.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	69.4 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Tiempo de caída:	20 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	12 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	SI7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	20 ns
Alias de las piezas n.º:	SI7370ADP-GE3
Peso de la unidad:	540 mg

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Hoja de datos

SI7370ADP-T1-GE3 Hoja de datos (PDF)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET^® Power MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. The TrenchFET^® Power MOSFETs are 100% R_g/UIS tested and halogen-free. These SI73 power MOSFETs are ideally used in DC/DC converters.