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SI8800EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8800EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI8800EDB-T2-E1
Price: 418 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI8800EDB-T2-E1

Fabricante N.º:

SI8800EDB-T2-E1

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

Hoja de datos:

SI8800EDB-T2-E1 Hoja de datos

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡418	₡418
	₡259	₡2 590
	₡166	₡16 600
	₡127	₡63 500
	₡114	₡114 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡96,9	₡290 700

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MicroFoot-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2.8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	400 mV
Qg - Carga de puerta:	8.3 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	900 mW
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SI8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	279,143 mg

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.