SI8823EDB-T2-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8823EDB-T2-E1
SI8823EDB-T2-E1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 16 538

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Plazo de entrega de fábrica:
9 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-
Precio ext.:
₡-
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡377 ₡377
₡232 ₡2 320
₡148 ₡14 800
₡113 ₡56 500
₡101 ₡101 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
₡85,8 ₡257 400
₡78,3 ₡469 800
₡73,7 ₡663 300
† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
20 V
2.7 A
77 mOhms
- 8 V, 8 V
800 mV
17 nC
- 55 C
+ 150 C
900 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: DE
Tiempo de caída: 40 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 6 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Serie: SI8
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 60 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Peso de la unidad: 45,104 mg
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Models

Technical Resources

CNHTS:
8541210000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (RDS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (RDS(on)).

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

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