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SP8M6HZGTB

Name: ROHM Semiconductor SP8M6HZGTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SP8M6HZGTB
Price: 1125.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SP8M6HZGTB

Fabricante N.º:

SP8M6HZGTB

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ

Hoja de datos:

SP8M6HZGTB Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-,--

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 125,20	₡1 125,20
	₡643,80	₡6 438,00
	₡481,40	₡48 140,00
	₡402,52	₡201 260,00
	₡365,98	₡365 980,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡348,00	₡870 000,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	ROHM Semiconductor
Modo canal:	Enhancement
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	5 ns, 10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1.8 S, 3 S
Id - Corriente de drenaje continua:	3.5 A, 5 A
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	2 Channel
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	3.9 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	51 mOhms, 90 mOhms
Tiempo de subida:	8 ns, 15 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns, 35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6 ns, 10 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V, 2.5 V
Alias de las piezas n.º:	SP8M6HZG

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Hoja de datos

SP8M6HZGTB Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SP8M Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SP8M Power MOSFETs are low on-resistance devices housed in a small surface-mount package (SOP8). The SP8M features Pb-free plating and is RoHS compliant. The MOSFETs are also halogen-free, have Sn100% plating, and are AEC-Q101 qualified.