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SQJ116EP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ116EP-T1_GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SQJ116EP-T1_GE3
Price: 922.2 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJ116EP-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJ116EP-T1_GE3

Fabricante:

Vishay

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

SQJ116EP-T1_GE3 Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡922,20	₡922,20
	₡572,46	₡5 724,60
	₡372,94	₡37 294,00
	₡287,10	₡143 550,00
	₡259,84	₡259 840,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡208,22	₡624 660,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	37 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	64 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	84 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	88 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	44 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	SQJ
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1-N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	18 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.