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SQJ170ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ170ELP-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ170ELP-T1_GE3
Price: 1049.8 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJ170ELP-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJ170ELP-T1_GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQJ170ELP-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100,00)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡1 049,80	₡1 049,80
	₡591,60	₡5 916,00
	₡394,98	₡39 498,00
	₡310,88	₡155 440,00
	₡283,62	₡283 620,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡278,40	₡835 200,00
	₡267,96	₡1 607 760,00
	₡261,58	₡2 354 220,00

† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK SO-8L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	63 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Serie:	SQJ
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

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Hoja de datos

SQJ170ELP-T1_GE3 Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK^® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low R_DS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK^® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

SQJ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs are TrenchFET^®Gen IV N-Channel 40V_DS power MOSFETs. These AEC-Q101 qualified MOSFETs are 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS) tested with less-than 1 Q_gd/Q_gs ratio that optimizes the switching characteristics. The Vishay / Siliconix SQJ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK^® SO-8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.